Friday , January 10 2025

Performa Snapdragon 845 30% Lebih Cepat

foto : PCMag

Performa Snapdragon 845 30% Lebih Cepat

lebakcyber.net – Qualcomm secara resmi telah meluncurkan chipset terbaru buatannya, Snapdragon 845. Dengan menggunakan arsitektur yang baru, chipset dan performa Snapdragon 845 30% lebih cepat daripada chipset pendahulunya.

Travis Lanier selaku Senior Director dan juga Product Management Qualcom pada acara Snapdragon Tech Summit 2017 mengatakan bahwa peningkatan dari performa Snapdragon 845 30% lebih cepat daripada pendahulunya.

Lanier juga mengatakan bahwa Snapdradon 845 menggunakan CPU Kryo 385 yang dibangun berdasarkan ARM Cortex 10LPP FINFET generasi kedua.

Seperti pada generasi sebelumnya, Snapdragon 845 juga dibuat dengan menggunakan delapan inti yang semuanya menggunakan arsitektur Kryo 385. Dan Qualcomm membagi intinya menjadi dua bagian.

Pada empat inti pertama memiliki kecepatan sampai 2,8 GHz yang diperuntukan bagi performa. Dan kinerjanya meningkat sampai 25% – 30% dari generasi sebelumnya.

Di bagian empat inti sisanya digunakan untuk efisiensi. Kecepatan yang dimiliki mencapai 1,8 GHz dan pihak Qualcomm mengatakan performanya lebih cepat 15% daripada yang dimiliki oleh Snapdragon 835.

Yang membuat menarik adalah Qualcomm menambahkan cache level tiga dengan ukuran 2 MB. Tidak berhenti disitu mereka juga menyematkan system cache sebesar 3 MP. Dan itu merupakan pertama kalinya Qualcomm membawa system cache kepada chipset buatan mereka.

System cache yang ada pada Snapdragon 845 sendiri bisa menghemat konsumsi pada daya, hal tersebut karena proses latensi yang bisa dipersingkat menjadi 40-75%.

Pada bagian grafis juga ikut mengalami peningkatan. Qualcomm menggunakan Adreno 630 yang dijanjikan mampu meningkatkan performa secara signifikan. Performa grafis menjadi 30% lebih hemat dan display throughput 2,5 kali lebih cepat daripada generasi sebelumnya.

About Firdan Ardiansyah

Admin di lebakcyber.net Untuk berhubungan dengan saya, silahkan kirim email ke : firdan@lebakcyber.net

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *